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50 nm X射线光刻掩模制备关键技术

Key technology of mask making for 50 nm X-ray lithography

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【Author】 DONG Lijun CHEN Dapeng XIE Changqing HAN Jingdong YE Tianchun (Microelectronics Research and Development Center, the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100010) YI Futing PENG Liangqiang HAN Yong ZHANG Jufang (Synchrotron Radiation Laboratory, Institute of High Energy Physics , the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039)

【机构】中国科学院微电子中心；中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室；中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室北京100010；北京100010；北京100039；北京100039；

【摘要】 X 射线光刻(XRL)采用约 1nm 波长的 X 射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，XRL 能同时实现高分辨率、大焦深、大像场等，是其他光刻手段难以比拟的。由于不需要辅助工艺，因而工艺成本很低。掩模制造技术是 XRL 开发中最为困难的部分。本文介绍了适用于 50 nm XRL 的掩模制备的关键技术。更多还原

【Abstract】 The X-ray lithography of 1 nm wavelength is a step lithography. Compared to other next-generation lithography alternatives, the X-ray lithography can improve resolution, depth of focus, and exposure field sizes simultaneously. Another key advantage is the low cost. As the most difficult part of the X-ray lithography, the mask making technology for 50 nm X-ray lithography was discussed in this paper.更多还原

【关键词】 X射线光刻；掩模；金刚石；吸收体；键合；
【Key words】 X-ray lithography； Mask； Diamond； Absorber； Bonding；

【文献出处】核技术 ,Nuclear Techniques , 编辑部邮箱 ,2004年02期

【分类号】TN305
【被引频次】2
【下载频次】135

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