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GaAsMESFET击穿特性的研究现状与进展

The Status and Developments of Breakdown Characteristics of GaAs MESFET

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【Author】 LI Ya-li, YANG Rui-xia, LI Xiao-guang, CHEN Hong-jiang( School of Information Technology, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)

【机构】河北工业大学信息工程学院；河北工业大学信息工程学院天津 300130；天津 300130；天津 300130；

【摘要】栅漏击穿是限制GaAsMESFET输出功率并影响其可靠性的最主要因素之一,本文就改善GaAsMESFET击穿特性所进行的研究做了综述介绍,其中包括改变器件结构,采用新型材料和钝化等方法.更多还原

【Abstract】 The gate-drain breakdown of a GaAsMESFET is one of the most important factors limiting its maximum output power and affecting its reliability.This paper describes the research for improving the breakdown characteristics of GaAsMESFET from changing the device structure, adopting the new material and passivating.更多还原

【关键词】功率GaAsMESFET；击穿电压；低温砷化镓；镓铟磷；钝化；
【Key words】 power GaAsMESFET； breakdown voltage； LTGaAs； GaInP； passivation；

【基金】武器装备预研项目资助(51432020103QT4501)河北省自然科学基金资助项目(F2004000078)

【文献出处】河北工业大学学报 ,Journal of Hebei University of Technology , 编辑部邮箱 ,2004年06期

【分类号】TN386
【被引频次】4
【下载频次】107

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