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一种增强量子阱混合的新技术  
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【作者】 杨格丹; 王永晨; 赵杰; 车经国; 张淑云;
【作者单位】 天津师范大学物理与电子信息学院; 天津第四半导体器件厂; 天津第四半导体器件厂 天津;
【文献出处】 光子技术 , Photon Technology, 编辑部邮箱 2004年 03期  
期刊荣誉：CJFD收录刊
【中文关键词】 量子阱混合(QWI); 等离子体增强化学气相沉积(PECVD); 带隙蓝移; 光子集成(PIC′s);
【摘要】 采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。
【基金】 国家自然科学基金项目(60276013)
【更新日期】 2005-08-19
【分类号】 TN248
【正文快照】 1引言 光子集成电路(PIC’s)和光电子集成电路(OEIC’s),因光通讯技术的发展而被人们所重视。为实现集 成的目的,人们采用了多次光刻技术,光栅技术,以及选择外延M(X!VD和MBE等复杂的多次生长工艺,造成 衔接部位晶体质量欠佳和器件间的祸合效率低下等问题/o 近年来,国际上出现的

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