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半导体光放大器端面镀膜的实验与研究
Experiment and research of coating on semiconductor optical amplifiers facets
【摘要】 在中心波长为1310nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率<10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹<0.5dB的半导体光放大器.
【Abstract】 Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips, the minimum facet reflectivity <10~-4 at the center-wavelength of 1 310 nm and the semiconductor optical amplifiers with ASE ripple <0.5 dB are obtained.
【关键词】 半导体光放大器；
减反膜镀制；
剩余反射率；
【Key words】 semiconductor optical amplifier； antireflection coating； residual reflectivity；
【Key words】 semiconductor optical amplifier； antireflection coating； residual reflectivity；
【基金】 国家"八六三计划"资助项目(2002AA312090)
- 【文献出处】 光通信研究 ,Study On Communications , 编辑部邮箱 ,2004年05期
- 【分类号】TN72
- 【被引频次】3
- 【下载频次】116