节点文献

碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器

Growth of C-doped AlGaAs by Lp-MOCVD and Fabrication of High-power 808 nm AlGaAs/GaAs Semiconductor Laser

推荐 CAJ下载
PDF下载
不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【Author】 WANG Xiangwu 1 ZHANG Lan 1 HUANG Ziqian 1 PAN Bin 1 LI Xiao 1 LI Zhonghui 2 ( 1Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN) ( 2Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics, Changchun, 130022, CHN)

【机构】南京电子器件研究所；长春光学精密机械学院南京； 210016；南京；长春； 130022；

【摘要】用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。更多还原

【Abstract】 The C-doped AlGaAs layer was grown by MOCVD. The doping characteristics were investigated. High-power 808 nm AlGaAs/GaAs laser was fabricated whose threshold current is 250～300 mA and CW output power is 1 W.更多还原

【关键词】金属有机化合物化学气相沉积；铝镓砷；碳掺杂；激光器；
【Key words】 MOCVD； AlGaAs； C-doping； laser；

【文献出处】固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2004年02期

【分类号】TN248.4
【被引频次】1
【下载频次】139

知网节下载

节点文献中：

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络

节点文献