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碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器

Growth of C-doped AlGaAs by Lp-MOCVD and Fabrication of High-power 808 nm AlGaAs/GaAs Semiconductor Laser

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【作者】 王向武张岚黄子乾潘彬李肖李忠辉

【Author】 WANG Xiangwu 1 ZHANG Lan 1 HUANG Ziqian 1 PAN Bin 1 LI Xiao 1 LI Zhonghui 2 ( 1Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016, CHN) ( 2Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics, Changchun, 130022, CHN)

【机构】 南京电子器件研究所长春光学精密机械学院 南京210016南京长春130022

【摘要】 用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。

【Abstract】 The C-doped AlGaAs layer was grown by MOCVD. The doping characteristics were investigated. High-power 808 nm AlGaAs/GaAs laser was fabricated whose threshold current is 250~300 mA and CW output power is 1 W.

【关键词】 金属有机化合物化学气相沉积铝镓砷碳掺杂激光器
【Key words】 MOCVDAlGaAsC-dopinglaser
  • 【文献出处】 固体电子学研究与进展 ,Research & Progress of Solid State Electronics , 编辑部邮箱 ,2004年02期
  • 【分类号】TN248.4
  • 【被引频次】1
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