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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

Low-Temperature Photoluminescence Studies on The Characteristics of Irradiated 6H-SiC

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【作者】 王鸥丁元力钟志亲袁菁龚敏Chen X DFung SBeling C D

【Author】 WANG Ou~1, DING Yuang-li~1, ZHONG Zhi-qin~1, YUAN Jing~1, GONG Min~1, CHEN X D~2, FUNG S~2, BELING C D~2 (1. Sichuan University, Chengdu 610064; 2. The University of Hong Kong, Hong Kong)

【机构】 四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室香港大学物理系香港大学物理系 成都 610064成都 610064香港香港

【摘要】 本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心。我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点。D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体。

【Abstract】 In this article, low temperature photoluminescence (LTPL) measurements have been performed on neutron irradiated and post-annealed n-type 6H-SiC, the annealing temperature was from 350℃ to 1650℃. D1-center defect and two luminescence center which light at (485.0nm) and 493.6nm were observed after annealing above 700℃. These thermal behaviors of the D1-center are different from the E1/E2 in deep-level transient spectroscopy (DLTS) spectra, which argues against the identification that D1-center and E1/E2 originate from the same defect. We relate D1-center to the complexes of vacancies and antisites.

【关键词】 碳化硅低温光致发光辐照诱生缺陷退火
【Key words】 6H-SiCLTPLIrradiation-induced-defectAnnealing
【基金】 国家自然科学基金(60076010)资助
  • 【文献出处】 光散射学报 ,Chinese Journal of Light Scattering , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】O4723
  • 【被引频次】7
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