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聚3-甲基噻吩的光电化学研究

A Photoelectrochemical Study of the Poly(3-Methythiophene)

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【Author】 WU Wen-jun~1, HAO Yan-zhong~(1,2) (1.College of Chemical & Pharmaceutical Engineering Shijiazhuang 050018,Hebei,P.R.China; 2.College of Science,Hebei University of Science and Technology,Shijiazhuang 050018,Hebei,P.R.China)

【机构】河北科技大学化学与制药工程学院；河北科技大学化学与制药工程学院河北石家庄050018；河北石家庄050018河北科技大学理学院河北石家庄050018；

【摘要】利用光电化学方法研究了聚3 甲基噻吩的光电化学性质.其禁带宽度为1.93eV.同时确定了它的价带、导带位置.研究还发现聚3 甲基噻吩属于直接跃迁半导体,具有很好的光电流稳定性.得到的最高IPCE值近1.0%.更多还原

【Abstract】 The photoelectrochemical properties of the poly(3-methythiophene) film on the ITO were investigated with photoelectrochemical methods.The band gap of the poly(3-methythiophene) is 193 eV.The conduction band and valence band were determined to be -3.44 eV and -5.37 eV respectively.The maximal IPCE is 1.0%.更多还原

【关键词】聚3-甲基噻吩；光电化学；导电聚合物；
【Key words】 poly(3-methythiophene)； photoelectrochemistry； conducting polymers；

【基金】国家自然科学基金资助项目(20203008);河北省自然科学基金资助项目(202351);河北省教育厅博士基金资助项目(110611).

【文献出处】感光科学与光化学 ,Photographic Science and Photochemistry , 编辑部邮箱 ,2004年05期

【分类号】O626
【被引频次】13
【下载频次】296

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