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LiF层对ITD/Alq~3/LiF∶Al器件性能的影响

Effects of the LiF Layer on the Performance of ITO/Alq~3/LiF∶Al Device

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【作者】 许雪梅； 彭景翠； 李宏建； 瞿述； 赵楚军；

【Author】 XU Xue-mei~(1,2*), PENG Jing-cui~1, LI Hong-jian~1, QU Shu~1, ZHAO Chu-jun (1.School of Physics Science and Technology,Central South University,Changsha 410083,China; 2.Department of Applied Physics,Hunan University,Changsha 410082,China)

【机构】 中南大学物理科学与技术学院； 湖南大学应用物理系； 湖南大学应用物理系 长沙410083； 长沙410082； 长沙410082；

【摘要】 分别制备了4种有机电致发光器件(OLEDs):ITO/Alq3/Al;ITO/Alq3/LiF(1.0nm):Al;ITO/Alq3/LiF(1.5nm)∶Al;ITO/Alq3/LiF∶(2.0nm)Al。研究了LiF的引入对金属电极与发光层界面的影响以及各种不同的界面态对器件发光性能的影响。研究结果表明:适当的LiF厚度的引入不仅可以改善器件的界面特性,而且可以提高器件的发光亮度及发光效率。

【Abstract】 An experimental study on the performance organic elecroluminescent device was presented.Four organic electroluminescent devices（OLEDs） with different thickness of LiF layer A:ITO/Alq3/Al,B:ITO/Alq3/LiF:Al （1 nm）,C:ITO/Alq3/LiF:Al （1.5 nm）,and D:ITO/Alq3/LiF:Al （2 nm） were fabricated by vaporing method.And the effects of LiF layer on the properties of cathode/Alq3 interface and the performance of OLEDs had been intensively investigated.It was shown that OLEDs with 1.5 nm LiF layer not only could improve the properties of cathode/Alq3 interface but also could enhance the brightness of OLEDs such as at the applied voltage 10 V,the barrier height of cathode with 1.5 nm LiF/Alq3 interface was only 3.12 eV,and its brightness was acheved the maximum value 800 cd/m2,etc.

【关键词】 界面； 有机电致发光； LiF； 发光亮度；
【Key words】 interface； organic electroluminescence； LiF； brightness；
  • 【文献出处】 光电子·激光 ,Journal of Optoelectronics.laser , 编辑部邮箱 ,2004年05期
  • 【分类号】TN383.1
  • 【被引频次】6
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