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ITO薄膜的电学性能研究

Electrical Properties of ITO Films

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【Author】 Wang min 1 Meng Jilong 2 (1. Department of Mechantronic Engineering,Guangdong Polytechnic Normal University, Guangzhou 510635, China; 2. College of Mechanical Engineering,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China)

【机构】广东技术师范学院机电系；华南理工大学机械工程学院广东广州510635；广东广州510641；

【摘要】以In金属和SnCl4·5H2 O作为原材料 ,采用溶胶一凝胶法在玻璃基体上制备了高质量的ITO薄膜 ,并分析了Sn掺杂时、热处理温度、热处理时间三种工艺参数对ITO薄膜电学性能的影响 ,确定了ITO薄膜的相组成更多还原

【Abstract】 High quality ITO films were deposited on glass substrates by sol-gel method in the solution composed of indium metal(In) and stannic chloride (SnCl 4·5H 2O). The influences of Sn diffusion,heat-treatment temperature and time on electrical properties of ITO films were studied.The phase composition of ITO films was determined.更多还原

【关键词】 ITO薄膜；溶胶-凝胶法；方块电阻；
【Key words】 ITO films； sol-gel method； square resistances；

【文献出处】广东技术师范学院学报 ,Journal of Guangdong Polytechnic Normal University , 编辑部邮箱 ,2004年04期

【分类号】TB383
【被引频次】12
【下载频次】323

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