节点文献

低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究

Study of Structure and Properties of Transparent Conducting Oxides SnO2:F Thin Films Prepared at Low Temperatrues

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 雷智冯良桓张静全蔡亚平蔡伟郑家贵李卫武莉莉黎兵夏庚培鄢强

【Author】 LEI Zhi, FENG Liang-huan, ZHANG Jing-quan, CAI Ya-ping, CAI Wei, ZHENG Jia-gui, LI Wei, WU Li-li, LI Bin, XIA Geng-pei, YAN Qiang (Institute of Solar Energy Materials and Devices, Sichuan University, Chengdu, 610064, China)

【机构】 四川大学太阳能材料与器件研究所四川大学太阳能材料与器件研究所 成都610064成都610064

【摘要】 Sn O2 :F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上 ,对沉积装置进行了改进 ,同时对反应液配方进行了优化 ,在较低温度制备出透明 Sn O2 :F导电薄膜。用 XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明 ,在 360°C沉积温度下制备的 Sn O2 :F薄膜 ,其方块电阻为 4.7Ω,( 2 0 0 )面择优取向明显 ,薄膜晶粒均匀 ,表面形貌有所改善 ,透明度有所提高。

【Abstract】 The transparent conducting SnO 2:F thin film is extensively used in displaying and energy-conversion technology. In this paper SnO 2:F thin films were deposited by ultrasonic spray pyrolysis technology. The dependence of structure, morphology and opto-electrical characteristics on substrate temperature, concentration in reaction solution were investigated by XRD, UV/Vis, SEM and AFM. The results show that the microstructure and resistivity of SnO 2:F thin films are intensively dependent on substrate temperature. Through optimization of the concentration in reaction solution, transparent low-resistance SnO 2:F thin film is deposited successfully.

【基金】 国家高技术研究发展计划 ( 863计划 ) ( No.2 0 0 1 AA5 1 3 0 1 0 ) ;国家重大基础研究计划 ( 973计划 ) ( No.G2 0 0 0 0 2 82 0 8)
  • 【文献出处】 光电子技术 ,Optoelecfronic Technology , 编辑部邮箱 ,2004年01期
  • 【分类号】O484.1
  • 【被引频次】10
  • 【下载频次】305
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络