节点文献

Ku波段低相位噪声体效应管

Ku Band Low Phase Noise Gunn Diodes

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 张晓戴莉刘萍单云东

【Author】 Zhang Xiao, Dai Li, Liu Ping, Shan Yundong (Nanjing Electronic Device Institute, Nanjing 210016, China)

【机构】 南京电子器件研究所南京电子器件研究所 江苏省南京市210016江苏省南京市210016江苏省南京市210016

【摘要】 体效应振荡器相位噪声主要决定于体效应管的噪声。文中介绍了Ku波段低相位噪声体效应管的设计与工艺实现 ,并制作出了与设计结果基本一致的器件。该器件在Ku波段高端输出功率大于 15 0mW ,转换效率大于 5 %。将其安装于低相噪介质振荡器中 ,在保证一定的输出功率的情况下 ,相位噪声小于 - 98dBc/Hz(偏离载频为 5kHz时 ) ,- 10dB谱线宽度小于 2 0 0Hz

【Abstract】 The phase noise of Gunn oscillator is determined mainly by the characteristics of the noise of Gunn diode.This paper describes the design and implementation of GaAs Gunn diodes of low phase noise at Ku band. The design shows good agreement with experimental results. The minimum output power is more than 150 mW high end of at Ku band using a test cavity, and the efficiency of conversion is more than 5%. The best level of low phase noise oscillator achieved is -98 dBc/Hz/(for 5 kHz) with a practical cavity, for a specified level of output power.

  • 【文献出处】 电子工程师 ,Electronic Engineer , 编辑部邮箱 ,2004年07期
  • 【分类号】TN387
  • 【下载频次】55
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络