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一种高精度的CMOS带隙基准电压源

A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference

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【Author】 Huang Xiaomin, Shen Xubang, Zhou Xuecheng, Jiang Xiang (Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)

【机构】华中科技大学图像识别与人工智能研究所；华中科技大学图像识别与人工智能研究所湖北省武汉市430074；湖北省武汉市430074；湖北省武汉市430074；

【摘要】设计了一种采用 0 .2 5 μmCMOS工艺的高精度带隙基准电压源。该电路结构新颖 ,性能优异 ,其温度系数可达 3× 10 - 6 /℃ ,电源抑制比可达 75dB。还增加了提高电源抑制比电路、启动电路和省功耗电路 ,以保证电路工作点正常、性能优良 ,并使电路的静态功耗较小。更多还原

【Abstract】 A bandgap voltage reference using 0.25μm CMOS process is described. SPECTRE simulation shows that the average temperature coefficient(TC) is 3ppm/℃ from -10 ℃ to 70 ℃ and the average power supply rejection ratio(PSRR) is 75 dB from 2.25 V to 2.75 V at 27 ℃.更多还原

【关键词】 CMOS；带隙；基准电压源；
【Key words】 CMOS； bandgap； voltage reference；

【文献出处】电子工程师 ,Electronic Engineer , 编辑部邮箱 ,2004年03期

【分类号】TN432
【被引频次】28
【下载频次】452

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