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一维GaN纳米材料生长方法

Synthesis Progress for One-dimensional GaN Nanowires

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【作者】 李忠杨利薛成山

【Author】 LI Zhong, YANG Li , XUE Cheng-shan (School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China)

【机构】 山东师范大学物理与电子科学学院山东师范大学物理与电子科学学院 山东济南250014山东济南250014山东济南250014

【摘要】 介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向。

【Abstract】 The study on synthesis for gallium nitride nanowires in the world are reviewed. The geometric template patterning, the vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanism, the oxide-assisted method and the two-steps growth method are presented. The research emphasis on GaN nanowires is predicted.

【关键词】 纳米材料氮化镓纳米线
【Key words】 nano-sized materialGaNnanowires
【基金】 国家自然科学基金重大资助项目(90201025)
  • 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,2004年02期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】7
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