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一维GaN纳米材料生长方法
Synthesis Progress for One-dimensional GaN Nanowires
【摘要】 介绍了国际上近年来合成一维GaN纳米材料的研究情况,分析了模板限制生长法、基于VLS机制的催化反应生长法、氧化辅助生长法和两步模式生长法合成GaN纳米线的工艺特点,展望了GaN纳米线研究重点和方向。
【Abstract】 The study on synthesis for gallium nitride nanowires in the world are reviewed. The geometric template patterning, the vapor-liquid-solid (VLS) growth mechanism, the oxide-assisted method and the two-steps growth method are presented. The research emphasis on GaN nanowires is predicted.
【基金】 国家自然科学基金重大资助项目(90201025)
- 【文献出处】 电子元件与材料 ,Electronic Components $ Materials , 编辑部邮箱 ,2004年02期
- 【分类号】TN304
- 【被引频次】7
- 【下载频次】344