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640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计

Design of a 640×480 Pixel Matrix OLED-on-silicon Microdisplay Chip

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【Author】 LU Chao, RAN Feng, XU Mei-hua(Microelectronic R&E Center, Shanghai university, Shanghai 200072, China)

【机构】上海大学微电子研究与开发中心；上海大学微电子研究与开发中心上海200072；上海200072；上海200072；

【摘要】描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计。像素电流12nA～1.6μA可调。每个像素点面积不超过400μm2,信号最大扫描频率30MHz。采用charteredCMOS0.35μm18V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合。更多还原

【Abstract】 A 640×480 pixel, organic light-emitting diode(OLED)-on-silicon and monochromic microdisplay mode is presented with static memory. The pixel current is modulated between 10 nA and 1.6 μA. Each pixel area is approximately 400 μm2. The maximum rate of signal scan is 30 MHz. It is designed and simulated using chartered CMOS 0.35 μm 18 V process, successfully realizing the combination of CMOS process and OLED technology.更多还原

【关键词】硅上有机发光二极管；微型显示；静态随机读写存储器；有机发光二极管；
【Key words】 OLED-on-silicon； microdisplay； SRAM； constant current source； organic light-emitting diode；

【基金】江苏省专用集成电路设计重点实验室开放基金(KJS03057)

【文献出处】电视技术 ,TV Engineering , 编辑部邮箱 ,2004年12期

【分类号】TN873.3
【被引频次】3
【下载频次】186

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