节点文献

压焊方式对肖特基器件通态压降的影响

Influence of Wirebonding to the Forward Voltage Drop of Schottky Device

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 叶俊龙梁建锋张少云简亚平

【Author】 YE Jun-long, LIANG Jian-feng, ZHANG Shao-yun, JIAN Ya-ping(Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)

【机构】 西安交通大学西安交通大学 陕西西安710049陕西西安710049陕西西安710049

【摘要】 在半导体器件的后部封装工艺中,不同的压焊方式会导致不同的铝丝和肖特基结接触面积,从而导致不同的接触电阻,最终影响肖特基器件的通态压降。根据肖特基器件的电流鄄电压关系式,用MATLAB曲线拟合的方式求出了不同压焊方式下的接触电阻。通过实验选取合理的压焊方式,可极大地提高器件的合格率。

【Abstract】 In the retral encapsulation process of semiconductor device, the different wirebonding results in different contact area between the Al and Schottky junction, and then induces different contact resistance, ultimately influences the forward voltage drop of Schottky device. According to the formula of V-I of Schottky device, we get the different contact resistance by means of curve fitting based on MATLAB. The reasonable wirebonding has been chosen through experiment in order to enhance the yield of the 80CPQ020 Schottky rectifier module.

  • 【文献出处】 电力电子技术 ,Power Electronics , 编辑部邮箱 ,2004年05期
  • 【分类号】TN386.3;TN305
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】67
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络