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高性能MOS结构高频C-V特性测试仪

High performance tester for high frequency C-V characteristic of MOS structure

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【作者】 陈国杰曹辉谢嘉宁

【Author】 CHEN Guojie,CAO Hui, XIE Jianing(School of Science, Foshan University, Foshan 528000, Guangdong, China)

【机构】 佛山大学理学院佛山大学理学院 广东佛山528000广东佛山528000广东佛山528000

【摘要】 MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本文阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。

【Abstract】 The principle of MOS capacitance measurement based on the method of high frequency detection is presented. The design method of tester for high frequency C-V Characteristic of MOS structure using frequency conversion technique and integrated chip is introduced. The tester has advantages of simple circuit, low cost, high resolution, accurate result and good stabilization.

【关键词】 MOS电容变频放大器测试仪
【Key words】 MOS capacitorfrequency conversionamplifiertester
【基金】 广东省教育厅自然科学基金资助项目(Z02069)
  • 【文献出处】 电测与仪表 ,Electrical Measurement & Instrumentation , 编辑部邮箱 ,2004年11期
  • 【分类号】TN307
  • 【被引频次】5
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