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Cu2+掺杂对In2O3电导和气敏性能的影响
Effect of Cu2+ doping on the conductance and gas-sensing properties of In2O3
【摘要】 为寻求新型气敏材料,用化学共沉淀法制备了Cu2+掺杂In2O3,研究了其相结构、电导和气敏性能。结果表明:900℃热处理4h所得掺2%Cu2+的In2O3微粉制作的元件对C2H5OH有较高的灵敏度和较好的选择性,有良好的应用前景。
【Abstract】 To explore new-type gas-sensing material,In2O3 doped with Cu2+ is prepared by chemical coprecipitation,the phase constitueats, conductance and gas-sensing properties of In2O3 are investigated. The results show the sensor based on the 2 % Cu2+ doped In2O3 powder sintered at 900 ℃ for 4h has a high sensitivity and selectivity to C2H5OH, and is promising for practical use.
【关键词】 共沉淀；
Cu2+掺杂；
电导；
气敏性能；
单位折射率；
【Key words】 coprecipitation； Cu2+ doped In2O3； conductance； gas-sensing properties； refractive index unit(RIU)；
【Key words】 coprecipitation； Cu2+ doped In2O3； conductance； gas-sensing properties； refractive index unit(RIU)；
- 【文献出处】 传感器技术 ,Journal of Transducer Technology , 编辑部邮箱 ,2004年05期
- 【分类号】O649.4
- 【被引频次】8
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