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等离子微弧氧化膜的抗静电特性

THE ANTIELECTROSTATICS OF THE CERAMIC OXIDATION FILMS BY PLASMA MICRO-ARC OXIDATION TECHNIQUE

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【作者】 来永春吴晓玲施修龄华铭杜建成

【Author】 Lai Yongchun Wu Xiaoling Shi Xiuling Hua Ming Du Jiancheng (The Institute of Low Energy Nuclear Physics, Beijing Normal University, Beijing Radiation Center: 100875, Beijing, China)

【机构】 北京师范大学低能核物理研究所北京师范大学低能核物理研究所 北京市辐射中心100875北京北京市辐射中心北京

【摘要】 等离子体微弧氧化技术可以在铝合金表面原位生长 2 0 2 0 0 μm的陶瓷氧化膜 ,该膜具有很高的硬度 ,大大改善铝合金表面的耐磨、耐蚀特性 .对于某些抗静电要求较高的电子元件 ,除需有较高的耐磨、耐蚀特性外 ,还要求表面电阻控制在 10 610 10 Ω之间 .通过对氧化膜厚度的调整 ,可有效地控制表面电阻的大小 ,从而满足抗静电要求 .

【Abstract】 20200 μm ceramic oxidation coatings are in situ formed on the surface of aluminum alloys by plasma micro arc oxidation. The ceramic oxidation coatings with very high hardness improve significantly the abrasive resistance and corrosion resistance of the aluminum alloys. Besides the requirements of high abrasive resistance and corrosion resistance, the surface resistance should be controlled in the range of 10 6 ~10 10 Ω for some electronic components requiring high antielectrostatic property. The surface resistance of the electronic components can be successfully controlled by adjusting the thickness of the ceramic oxidation coatings produced by plasma micro arc oxidation technique.

【基金】 国家“八六三”计划资助项目 (715 0 110 2 0 )
  • 【文献出处】 北京师范大学学报(自然科学版) ,Journal of Beijing Normal University(Natural Science) , 编辑部邮箱 ,2004年03期
  • 【分类号】TB43
  • 【被引频次】6
  • 【下载频次】116
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