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ICP刻蚀参数对SOI脊形波导侧壁粗糙度的影响

Influence of Etching Parameters on Sidewall Roughness of Silicon Based Waveguide Etched by Inductively Coupled Plasma

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【作者】 樊中朝余金中陈少武杨笛严清峰王良臣

【Author】 Fan Zhongchao,Yu Jinzhong,Chen Shaowu,Yang Di,Yan Qingfeng and Wang Liangchen(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,Institute of Semiconductors, The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室 北京100083北京100083北京100083

【摘要】 研究了以 C4 F8/SF6 /O2 为刻蚀气体 ,利用 ICP刻蚀技术制作 SOI脊形光波导过程中 ,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系 .实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数 ,在低偏压、低 C4 F8/SF6 比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁 .通过优化刻蚀参数 ,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的 SOI脊形波导

【Abstract】 The relationship between the side-wall roughness of SOI rib-waveguide etched by C 4F 8/SF 6/O 2 inductively coupled plasma (ICP) and the etching parameters is studied.The experimental results show that bias voltage,ratio of C 4F 8/SF 6 and pressure affect the side-wall roughness seriously.To minimize the roughness on waveguide sidewall,lower bias voltage,lower C 4F 8/SF 6 ratio and higher pressure etching condition are preferred.By optimizing the etching parameters,waveguides with smoother side-walls and smaller propagation loss are fabricated successfully.

【关键词】 SOIICP粗糙度脊形光波导
【Key words】 SOIICProughnessrib waveguide
【基金】 国家自然科学基金 (批准号 :698962 60 );国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 66);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2 AA3 12 0 60 )资助项目~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年11期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】16
  • 【下载频次】364
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