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射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)

A Novel Polysilicon and Oxide Sandwich Deep Trench with Field Limiting Ring for RF Power Transistors

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【作者】 齐臣杰； 傅军； 王军军； 刘理天；

【Author】 Chee Chenjie 1,Fu Jun 1,Wang Junjun 2 and Liu Litian 2(1 Department of Physics,Hainan Normal University,Haikou 571158,China) (2 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】 海南师范大学物理系； 清华大学微电子所； 清华大学微电子所 海口571158； 海口571158； 北京100084； 北京100084；

【摘要】 提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0 %达到平行平面结的理想值

【Abstract】 A vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices.Simulation result shows that nearly 100% breakdown voltage of the plane junction can be realized.

【关键词】 击穿电压； 场限制环； 射频功率器件； 夹心槽；
【Key words】 deep trench； field limiting ring； breakdown voltage；
【基金】 清华大学“985”基金资助项目 (批准号 :2 0 0 0 0 12 )~~
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年11期
  • 【分类号】TN323.4
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】67
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