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射频功率晶体管的多晶硅二氧化硅夹心深槽场限制环新结构(英文)

A Novel Polysilicon and Oxide Sandwich Deep Trench with Field Limiting Ring for RF Power Transistors

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【Author】 Chee Chenjie 1,Fu Jun 1,Wang Junjun 2 and Liu Litian 2(1 Department of Physics,Hainan Normal University,Haikou 571158,China) (2 Institute of Microelectronics,Tsinghua University,Beijing 100084,China)

【机构】海南师范大学物理系；清华大学微电子所；清华大学微电子所海口571158；海口571158；北京100084；北京100084；

【摘要】提出一种二氧化硅 /多晶硅 /二氧化硅夹心深槽场限制环新结构来提高晶体管的击穿电压 .模拟结果显示 ,该结构可以使射频功率双极性晶体管的击穿电压几乎 10 0 %达到平行平面结的理想值更多还原

【Abstract】 A vertical sandwich deep trench with a field limiting ring is proposed to improve the breakdown voltage of power devices and high voltage devices.Simulation result shows that nearly 100% breakdown voltage of the plane junction can be realized.更多还原

【关键词】击穿电压；场限制环；射频功率器件；夹心槽；
【Key words】 deep trench； field limiting ring； breakdown voltage；

【基金】清华大学“985”基金资助项目 (批准号 :2 0 0 0 0 12 )~~

【文献出处】半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年11期

【分类号】TN323.4
【被引频次】1
【下载频次】67

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