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发射极镇流电阻对In_0.49Ga_0.51P/GaAs HBT特性的影响

Effect of Emitter Ballasting Resistor on In_0.49 Ga_0.51 P/GaAs HBT Characteristics

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【Author】 Shi Ruiying 1,Sun Haifeng 2,Yuan Zhipeng 2,Luo Mingxiong 2 and Wang Ning 2(1 Department of Physics,Sichuan University,Chengdu 610064,China) (2 Institute of Microelectronics,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)

【机构】四川大学物理学院；中国科学院微电子研究所；中国科学院微电子研究所成都610064；北京100029；北京100029；

【摘要】在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 ,并对实验现象进行了理论分析更多还原

【Abstract】 The collapse of current often occurs in multi transistors heterojunction bipolar transistors.It is demonstrated that the emitter ballasting resistor can prevent the collapse of current.Effect of emitter ballasting resistor on In 0.49 Ga 0.51 P/GaAs HBT characteristics is studied and analyzed.更多还原