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双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

CMOS Device Fabricated from Si/Al2O3/Si

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【作者】 昝育德； 王俊； 李瑞云； 韩秀峰； 王建华； 于芳； 刘忠立； 王玉田； 王占国； 林兰英；

【Author】 Zan Yude,Wang Jun,Li Ruiyun,Han Xiufeng,Wang Jianhua,Yu Fang,Liu Zhongli, Wang Yutian,Wang Zhanguo and Lin Lanying(Institute of Semiconductors,The Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所； 中国科学院半导体研究所 北京100083； 北京100083； 北京100083；

【摘要】 报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS集成电路的初步结果

【Abstract】 This paper reports making the double hetero epitaxial Si/γ Al 2O 3/Si single crystal films using a home made high vacuum system with 2×10 -4 Pa and using these films to manufacture MOSFETs and integrated circuit at the first step.

【关键词】 外延； CMOS； SOS；
【Key words】 epitaxy； CMOS； SOS；
  • 【文献出处】 半导体学报 ,Chinese Journal of Semiconductors , 编辑部邮箱 ,2004年07期
  • 【分类号】TN432
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