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InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展

The progress in the study of InP based strain induced self-assembly materials and their opto-electronic devices

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【作者】 雷文; 陈涌海; 程伟明; 车晓玲; 刘俊歧; 黄秀颀; 王占国;

【Author】 LEI Wen1,CHEN Yong-hai1,CHENG Wei-ming2,CHE Xiao-ling1,LIU Jun-qi1,HUANG Xiu-qi1,WANG Zhan-guo1(1.Key Laboratory of Semiconductor Materials,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;2.Department of Electronic Science and Technology,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China)

【机构】 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室; 华中科技大学电子科学与技术系; 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室 北京100083; 北京100083; 湖北武汉430074; 北京100083;

【摘要】 半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。

【Abstract】 Due to their special electronic properties,the low dimensional semiconductor materials,such as quantum wires,quantum dots,have important application in the future opto-electronic and micro-electronic devices. In this paper,the growth,optical and electronic properties of strain induced self-assembly nano-materials on InP,and their applications in semiconductor lasers,infrared detectors and other devices are summarized. Suggestions have been presented to improve the quality of these nano-materials and their devices.

【基金】 国家重点基础规划项目(G2000068303);国家自然科学基金项目(60290084)
  • 【文献出处】 微纳电子技术 ,Micronanoelectronic Technology , 编辑部邮箱 ,2004年04期
  • 【分类号】TN304;TN36
  • 【下载频次】217
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