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利用快速退火法控制非晶硅薄膜中纳米硅粒尺寸

Size Controlling of the Nanoscale Silicon Particles in a-Si:H Films by RTA

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【作者】 薛清； 李冠成； 王秉坤；

【Author】 XUE Qing,LI Guan-cheng, WANG Bing-kun (Dept. of Math. Physics Science, Huaihai Institute of Technology, Lianyungang 222005, China)

【机构】 淮海工学院数理科学系； 淮海工学院数理科学系 江苏连云港222005； 江苏连云港222005； 江苏连云港222005；

【摘要】 报道了利用快速退火法控制膜中纳米硅粒大小的方法,讨论了升温快慢与所形成的纳米硅粒大小的关系。

【Abstract】 A new method for controlling the size of nanoscale silicon grown by rapid thermal annealing(RTA) on hydrogenated amorphous silicon(a-Si:H) films is reported. The effect of the tem- perature on the formed silicon particles is discussed.

【关键词】 纳米硅； 快速热退火； 非晶硅；
【Key words】 nanoscale silicon； rapid thermal annealing； amorphous silicon；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2004年10期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】5
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