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GaN薄膜生长实时监控系统的实现

Realization for Real-Time Monitoring System of GaN Film Growth

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【作者】曲钢；徐茵；

【Author】 QU Ganga,b, XU Yina,b(Dalian University of Technology,a . National Key Laboratory of Material Modification by 3-Beams;b. Electrical Engineering and Applied Electronic Technology Department, Dalian 116024, China)

【机构】大连理工大学三束材料改性国家重点实验室；大连理工大学三束材料改性国家重点实验室大连理工大学电气工程与应用电子技术系；辽宁大连116024；大连理工大学电气工程与应用电子技术系；辽宁大连116024；

【摘要】分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素。在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略。更多还原

【Abstract】 The process characteristics of epitaxial growth for GaN single-crystal films usingECR-MOVCD devices, and the main factors which effect the GaN crystalline quality during the epi-taxial growth are analyzed. Then a set of monitoring system, which was used in the epitaxial growthprocess of GaN film was designed. Also we proposed a kind of suitable monitoring method for process.更多还原

【关键词】外延生长； GaN薄膜；实时监控；
【Key words】 epitaxial growth； GaN film； real-time monitoring；

【文献出处】半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2004年09期

【分类号】TN304.055
【被引频次】6
【下载频次】127

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