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纳米CMOS器件中超浅结离子掺杂新技术

Several New Ion Beam Doping Technologies of Ultra-Shallow Junction for Nanometer CMOS Fabrication

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【Author】 CHENG Li1, LI Chun-ming2, WANG Zhen-yu1, ZHU Jun1(1. Institute of Electricity & Information, Jiangsu University, Zhenjiang 212013, China;2. Department of Computer, Nantong Institute of Technology, Nantong 226001, China)

【机构】江苏大学电气与信息工程学院；南通工学院计算机科学系；江苏大学电气与信息工程学院江苏镇江212013；江苏南通226001；江苏镇江212013；江苏镇江212013；

【摘要】综述了集成电路(IC)中制备纳米CMOS器件的几种超浅结离子掺杂新技术,包括等离子体浸没掺杂、投射式气体浸入激光掺杂、快速汽相掺杂和离子淋浴掺杂等新技术,并对比分析了这几种掺杂技术各自的优缺点及其应用前景。更多还原

【Abstract】 The plasma immersion ion implantation doping, the project-gas immersion laser doping,rapid vapor-phase doping and the ion shower doping are summarized. The strong and weak pointsand their application prospects of these new technologies are analysed and compared in details.更多还原

【关键词】超大规模集成电路；特大规模集成电路；离子束掺杂技术； CMOS器件；纳米电子技术；
【Key words】 VLSI； ULSI； ion beam doping； CMOS device； nanoelectronic technology；

【基金】江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)

【文献出处】半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2004年09期

【分类号】TN305;TN47
【被引频次】9
【下载频次】500

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