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用电子显微镜剖析存储器器件

Application of electron microscopy in analyzing memory device

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【作者】 刘剑霜谢锋陈一胡刚

【Author】 LIU Jian-shuang, XIE Feng, CHEN Yi, HU Gang(Dept. Material Science, Fudan University, Nat. Microanalysis Center, Shanghai 200433, China)

【机构】 复旦大学材料科学系国家微分析中心复旦大学材料科学系国家微分析中心 上海200433上海200433上海200433

【摘要】 简要介绍了扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)两种当前主要的电子显微分析工具在存储器器件分析过程中的应用,讨论了它们各自的适用范围以及测量精度,指出两者的有机结合可以得到比较全面的分析结果。

【Abstract】 The application of scanning electron microscopy(SEM) and transmission electronmicroscopy(TEM) in analyzing memory devices are introduced. Their applicable range and measureprecision are also discussed. We can get a comprehensive result in the memory microanalysis bycombining two methods.

【关键词】 扫描电子显微镜透射电子显微镜栅氧化层
【Key words】 SEMTEMgate oxide layer
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2004年05期
  • 【分类号】TP333
  • 【被引频次】4
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