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DPN MOS绝缘栅氮处理技术

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【作者】 黄英； 许志； KIM Sung Lak； ZHAO Richard； 利定东；

【机构】 应用材料中国公司； 应用材料中国公司 上海201203； 上海201203； 上海201203；

【摘要】 分析了90nm 及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性,强调了等离子体氮处理技术在90nm及其以下技术中的必要性。介绍了应用材料公司 DPN MOS绝缘栅氮处理技术,并出示了部分试验数据。

【关键词】 氮处理技术； 栅氧化； 应用材料；
  • 【文献出处】 半导体技术 ,Semiconductor Technology , 编辑部邮箱 ,2004年05期
  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】3
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