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衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究
Effects of substrate temperature on the stress properties of sputtering Cu film on Si wafer
【摘要】 薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。
【Abstract】 This paper investigates the stress variation with substrate temperature of Cu films on Si wafers deposited by DC sputtering. Underlay temperature is 50℃, 100℃, 150℃, 200℃, 250℃. The results show that the stress is relaxed with underlay temperature from 50℃ to 200℃.
【关键词】 基片温度；
微结构；
溅射铜膜；
应力；
光学相位移法；
【Key words】 underlay temperature； microstructure； sputtering Cu film； stress； optical phase-shift technology；
【Key words】 underlay temperature； microstructure； sputtering Cu film； stress； optical phase-shift technology；
【基金】 国家自然科学基金资助项目(59972001);安徽省自然科学基金资助项目(01044901);安徽省教育厅科研基金资助项目(2003KJ)
- 【文献出处】 安徽大学学报(自然科学版) ,Journal of Anhui University(Natural Sciences) , 编辑部邮箱 ,2004年03期
- 【分类号】TN405
- 【被引频次】13
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