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硅集成电路用SiGe/Si异质结构材料及其制备技术

SiGe Heterostructures Used for Silicon Integrated Circuit and Its Preparation Technology

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【作者】 王凤娥

【Author】 Wang Feng′e (Institute of Science and Technology Information, General Research Institute for Nonferrous Metals, Beijing 100088, China)

【机构】 北京有色金属研究总院科技信息所 北京100088

【摘要】 SiGe技术是微电子领域的前沿技术 ,在硅基集成电路方面有重要应用。介绍了SiGe/Si和SiGe OI两种SiGeSi异质结构材料 ,综述了这两种材料的制备技术和研究进展 ,讨论了SiGe异质结构材料应用于纳米集成电路等的应用前景。

【Abstract】 SiGe is one of the promising materials to the microelectronics and has important application on silicon integrated circuit. Two kinds of SiGe heterostructures including SiGe/Si and SiGe on insulator were introduced. The preparation technology and research progress of SiGe were reviewed. And the application prospect of SiGe in nano scale integrated circuit was discussed.

【关键词】 SiGe异质结构绝缘体上硅锗
【Key words】 SiGeHeterostructureSiGe on insulator
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2003年06期
  • 【分类号】TN304
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