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直拉重掺硼硅单晶的研究进展

Heavily Boron Doped Czochralski Silicon

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【作者】 李春龙沈益军杨德仁马向阳余学功阙端麟

【Author】 Li Chunlong , Shen Yijun, Yang Deren, Ma Xiangyang, Yu Xuegong, Que Duanlin (State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China)

【机构】 浙江大学硅材料国家重点实验室浙江大学硅材料国家重点实验室 浙江杭州310027浙江杭州310027浙江杭州310027

【摘要】 系统介绍了直拉重掺硼 (B)硅单晶研究的最新进展。主要内容包括重掺B硅单晶的基本性质 ,利用重掺B籽晶进行无缩颈硅单晶生长技术 ,重掺B硅单晶的机械性能 ,重掺B硅单晶中的氧和氧沉淀 ,以及B的大量掺杂与大直径直拉硅单晶中空洞型 (Void)原生缺陷的控制关系。在此基础上 ,探讨了当前直拉重掺B硅单晶生产和研究中存在的主要问题

【Abstract】 The recent development in heavily B doped CZ silocon was reviewed. The dislocation free crystal growth based on heavily B doped seeds without Dash necking was introduced. The mechanical properties, the oxygen and the void defects of heavily B doped Czochralski silicon were also discussed. Furthermore, some issues to be investigated for heavily B doped silicon were proposed.

【关键词】 直拉硅重掺硼缩颈
【Key words】 czochralski siliconheavily B dopedoxygendash necking
  • 【文献出处】 稀有金属 ,Chinese Journal of Rare Metals , 编辑部邮箱 ,2003年03期
  • 【分类号】TN304.12
  • 【被引频次】5
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