节点文献

半导体离子注入用离子束加速管的聚焦特性

The focusing characteristic of ion beam accelerating tube in semiconductor

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 刘晓芝孙利平王应德陈林

【Author】 LIU Xiao-zhi 1, SUN Li-ping 1, WANG Ying-de 1, CHEN Lin 2 (1.Physical and Electrics Department, Changsha University,Changsha 410003,China; 2.Beijing University of Post and Telecommunication,Beijing 100876,China)

【机构】 长沙大学物电系北京邮电大学 湖南长沙410003湖南长沙410003北京100876

【摘要】 讨论了离子注入机用三间隙强流离子加速管的聚焦特性 ,计算了各种能量离子束聚焦情况 ,并分析了抑制空间电荷效应所需要的电场强度。最后总结了三间隙加速管设计和调试应注意的问题。

【Abstract】 The focusing characteristics in the high ion beam implanter with three gap accelerating tube are discussed, the focusing degrees of different energy ion beam are computed, the electric fileds required to prevent beam expansion due to space charge effect are analyzed, and some questions of design and adjusting the implanter in the tube of the implanter are summarized.

  • 【分类号】TN305
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】83
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络