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一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜

A New Thermally Erasable Organic Bistable Film with Polarized Memory Effect

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【作者】 刘春明吕银祥郭鹏农昊蔡永挚徐伟潘星龙华中一周峥嵘陶凤岗

【Author】 LIU Chun-ming, LU Yin-xiang, GUO Peng, NONG Hao, CAI Yong-zhi, XU Wei, PAN Xing-long, HUA Zhong-yiZHOU Zheng-rong, TAO Feng-gang(1 .Department of Materials Science, Fudan University, Shanghai 200433, China; 2. Department of Chemistry, Fudan University, Shanghai 200433, China)

【机构】 复旦大学材料科学系复旦大学化学系复旦大学化学系 上海200433上海200433上海200433

【摘要】 报道了一种新型有机材料AOSCN(3,9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2,4,8,10-四硫杂螺[5,5]十一烷),能与Cu形成具有电双稳特性的络合物,在6 V电压下,薄膜发生从高阻态到低阻态的转变,跃迁时间小于30 ns,驰豫时间小于1 us。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变,高温热处理能使其恢复初始状态,这有望制成可擦写存储器。此外,在一定的工艺条件下,AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结,具有极性记忆效应。

【Abstract】 A metal-orgainc complex thin film, constructed by Cu and a new organic material AOSCN (3,9-di (anthracene-10-(dicyanomethylene)-9-) -2,4,8,10-tetrathiaspiro[5,5]undecane) was reported. The complex shows good electrical bistability. The device with a sandwich structure can be transferred from high to low-impedance under 6 V with delay and switching times of less than 1000 and 30 ns, respectively. The anneal can erase the low state. Further investigation found that the junction of Cu/AOSCN/Al exhibits polarized memory effect in certain condition.

【基金】 国家自然科学基金项目(No.60171008);上海科委纳米专项基金项目(No.0214nm005)
  • 【文献出处】 真空电子技术 ,Vacuum Electronics , 编辑部邮箱 ,2003年06期
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】9
  • 【下载频次】57
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