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纳米硅/单晶硅异质结二极管的I-V特性

The I-V characteristics of nano-silicon/crystal silicon hetero-junction

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【Author】 Liu Ming 1) Liu Hong 2) He Yu-Liang 3) 1)(Microelectronics Research and Development Center, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029,China) 2)(Department of Applied Physics, Suzhou University of Science and Technology,Suzhou 215000,China) 3)(Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093,China)

【机构】中国科学院微电子中心；苏州科技大学应用物理系；南京大学物理系北京100029；苏州215000；南京210093；

【摘要】用纳米硅 (nc_Si∶H)薄膜制成了纳米硅单晶硅 (nc_Si∶H c_Si)异质结二极管 ,对nc_Si∶H c_Si异质结的特性进行了研究 ,它具有很好的温度稳定性 .温度从 2 0℃上升到 2 0 0℃ ,I_V曲线只有很小的漂移 .对nc_Si∶H c_Si异质结二极管的输运机理进行了讨论 .更多还原

【Abstract】 The nc-Si∶H/c-S hetero-junction is fabricated and studied using nc-Si∶H films. Its I-V curves have good thermal stability and change little in the temperature range from 20 to 200℃. The existence of a large amount of interfacial states is resoponsible for the good switch characteristics of the nc-Si∶H/c-Si hetero-junction.更多还原

【关键词】异质结二极管；纳米硅薄膜；输运机理；
【Key words】 hetero-junction； hydrogenated nano-silicon film； transporting mechanism；

【基金】国家自然科学基金 (批准号 :60 2 3 60 10 )资助的课题~~

【文献出处】物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2003年11期

【分类号】TN31
【被引频次】13
【下载频次】262

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