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浮栅ROM器件辐射效应机理分析

Mechanism of radiation effects in floating gate ROMs

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【作者】 贺朝会； 耿斌； 杨海亮； 陈晓华； 李国政； 王燕萍；

【Author】 He Chao Hui\ Geng Bin\ Yang Hai Liang\ Chen Xiao Hua\ Li Guo Zheng\ Wang Yan Ping (Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an\ 710613, China)

【机构】 西北核技术研究所； 西北核技术研究所 西安710613； 西安710613； 西安710613；

【摘要】 分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理 ,合理地解释了实验中观察到的现象 .指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因 .浮栅ROM器件的中子、质子和6 0 Coγ辐射效应都是总剂量效应

【Abstract】 Mechanism of irradiation effects is analyzed for floating gate read only memories (ROMs). Phenomena in experiments are reasonably explained. It is proposed that failures in devices result from oxide trapped charge and interface trapped charge generated by radiation in memory cells and peripheral circuitry. The neutron, proton and 60 Co γ irradiation effects in FLASH ROM and EEPROM are total dose effects.

【关键词】 FLASH ROM； EEPROM； 中子； 质子； 60Coγ； 总剂量效应；
【Key words】 FLASH ROM； EEPROM； neutron； proton； 60 Co γ； total dose effect；
  • 【文献出处】 物理学报 ,Acta Physica Sinica , 编辑部邮箱 ,2003年09期
  • 【分类号】TP333
  • 【被引频次】13
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