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掺稀土Ce的金刚石薄膜光致发光研究

Ce³⁺ ion doped diamond thin films photoluminescence

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【Author】 WANG Xiao ping 1)2) WANG Li jun 1) ZHANG Bing lin 2) YAO Ning 2) LI Wei qiang 2) ( 1)Department of Fundamental Education, Zhengzhou Institute of Aeronautical Industry Management, Zhengzhou, Henan, 450005; 2)Materials Physics Laboratory,Zhengzhou University, Zhengzhou, Henan, 450052)

【机构】郑州航空工业管理学院基础部；郑州大学材料物理重点实验室；郑州大学材料物理重点实验室河南郑州450005郑州大学材料物理重点实验室河南郑州450052；河南郑州450005；河南郑州450052；河南郑州450052；

【摘要】制备了不同注入剂量的 Ce3 + 掺杂金刚石薄膜 ,研究了其光致发光特性 ,得到了发光主峰位于蓝紫区(42 1nm和 4 6 2 nm处 )的光发射 .实验中发现随着 Ce3 + 注入剂量的增加 ,器件光致发光的强度也逐渐增加 ,并对这些实验现象作了解释 .更多还原

【Abstract】 Ce 3+ ion doped diamond thin films with two kinds of dosage are made. Its photoluminescence (PL) characters have been investigated. The experiment results indicate that the PL spectrum shows the main peak centered at 462nm, and the other weaker peak at 421nm. The intensity of PL increases obviously with increasing Ce 3+ ion implantation, and the experiment results have been explained.更多还原