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宽禁带半导体SiC和GaN峥嵘初显

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【作者】 李静；

【机构】 中国电子科技集团总公司第十三研究所；

【摘要】 本文着重介绍第三代半导体材料——宽禁带半导体SIC与GaN材料与器件国内外现 状及发展趋势,并重点展示了在光电子领域的应用前景。

【关键词】 宽禁带半导体； GaN； SiC； 第三代半导体； 紫外光探测器； 双极晶体管； 光电子领域； MESFET； 蓝光激光器； 器件技术；
  • 【文献出处】 世界产品与技术 ,Electronic Component News , 编辑部邮箱 ,2003年11期
  • 【分类号】TN304.05
  • 【被引频次】5
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