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化学机械抛光技术的研究进展

Advances in Chemical Mechanical Polishing

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【作者】 雷红雒建斌张朝辉

【Author】 LEI Hong~1, LUO Jian-bin~2, ZHANG Cao-hui~2 (1. Research Center of Nano-Science and Nano-Technology, Shanghai University, Shanghai 200436, China; 4, China)

【机构】 上海大学纳米中心清华大学摩擦学国家重点实验室清华大学摩擦学国家重点实验室 上海200436北京100084北京100084

【摘要】 化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing,简称CMP)技术几乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技术,可广泛用于集成电路芯片、计算机硬磁盘、微型机械系统(MEMS)、光学玻璃等表面的平整化.该文综述了CMP技术的研究现状,指出了CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

【Abstract】 Chemical mechanical polishing (CMP) is the only finish machining technique up to date for surface global planarization, which has been widely used for the manufacturing of integrated circuits (IC), hard disk, micro-electromechanical systems (MEMS), optical glass,etc. The progress and problems of CMP are reviewed in the paper, and the future prospect of CMP is outlined.

  • 【文献出处】 上海大学学报(自然科学版) ,Journal of Shanghai University(Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2003年06期
  • 【分类号】TG175
  • 【被引频次】161
  • 【下载频次】1961
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