节点文献

掺钯硅快恢复二极管VF~TRR兼容性研究

Study on VF~TRR Tradeoff of Palladium Doped Fast Recovery Silicon Diode

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 廖勇明杨仕钟陈振游志朴

【Author】 LIAO Yongming,YANG Shizhong,CHEN zhen,YOU Zhipu(Department of Physics,Sichuan University,Chengdu 610064,China)

【机构】 四川大学物理系四川大学物理系 成都610064成都610064成都610064

【摘要】 作者研究了掺Pd硅快恢复二极管的VF~TRR兼容性,得到掺钯硅二极管的VF~TRR兼容性略优于掺铂、掺金二极管的结果;这一结果与目前广泛采用的Baliga理论的预测不相符合,作者对此进行了分析与讨论.根据实验结果,作者认为应用掺钯技术有望制造出性能优良的超快恢复二极管.

【Abstract】 The authors studied the VF~TRR tradeoff of palladium doped fast recovery silicon diode, and got the result that the VF~TRR tradeoff of Pddoped diode was slightly superior to that of Ptdoped diode and Audoped diode. Though the result was not in accordance with the prediction of Baliga theory, the authors analyzed it. The use of the Pddoped technique in practice had potential value in research the better ultrafast recovery diode. 

【基金】 国家自然科学基金
  • 【文献出处】 四川大学学报(自然科学版) ,Journal of Sichuan University (Natural Science Edition) , 编辑部邮箱 ,2003年01期
  • 【分类号】TN312
  • 【下载频次】86
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络