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镓的示波极谱分析机理研究
【摘要】 本文对BeⅢ试剂与Ga络合物的吸附波极谱性质及机理进行研究 ,发现Ga和BeⅢ在 - 0 .4 85V(S .C .E)处出现一个稳定的新波 .在浓度为 0 .2 μg/ 2 5mL - 2 0 μg/ 2 5mL范围 ,波高与浓度有良好的线性关系
- 【文献出处】 轻金属 ,Light Metals , 编辑部邮箱 ,2003年04期
- 【分类号】TG115.3
- 【被引频次】1
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【摘要】 本文对BeⅢ试剂与Ga络合物的吸附波极谱性质及机理进行研究 ,发现Ga和BeⅢ在 - 0 .4 85V(S .C .E)处出现一个稳定的新波 .在浓度为 0 .2 μg/ 2 5mL - 2 0 μg/ 2 5mL范围 ,波高与浓度有良好的线性关系