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Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算
The Band Gap Calculation of Wide-Gap Ternary Compound Nitride Semiconductors in Group Ⅲ-Ⅴ
【摘要】 使用简化相干势近似(SCPA)计算了 — 族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于 — 族含氮三元混晶相关常数的计算.
【Abstract】 The simple coherent potential approximation(SCPA) is developed to calculate the energy band gap Eg of the ternary mixed crystal(TMC) InGaN in group Ⅲ-Ⅴ.The result shows that the SCPA method is better in calculating the coefficients of Nitride TMC in group Ⅲ-Ⅴ.
【基金】 国家自然科学基金资助项目(60166002)
- 【文献出处】 内蒙古大学学报(自然科学版) ,Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Neimongol , 编辑部邮箱 ,2003年02期
- 【分类号】O471.3
- 【被引频次】6
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