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寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)

Quest for the Ultimate Sub-50 nm CMOS Transistor Structure

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【作者】 Rambhatla A； Hackler D R； Parke S A；

【Author】 Rambhatla A 1, Hackler D R 2, Parke S A 1 (1.Department of Electrical & Computer Engineering, Boise State University, 83725, Idaho, USA) (2.American Semiconductor Inc, 83725, Idaho, USA)

【机构】美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系；美国半导体有限公司；美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系 83725；爱达荷州； 83725；爱达荷州；

【摘要】主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究 ,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术 .更多还原

【Abstract】 In this paper, the work is introduced on investigation on non classical CMOS structure in the quest to find the ultimate transistor structure that will permit evolutionary improvements of the existing CMOS technology base.更多还原

【关键词】 CMOS器件；非典型结构；晶体管结构；
【Key words】 CMOS； non classical CMOS structure； transistor structure；

【文献出处】南京师范大学学报(工程技术版) ,Journal of Nanjing Normal University(Engineering and Technology) , 编辑部邮箱 ,2003年04期

【分类号】TN432
【下载频次】53

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