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对CMOS门电路的物理参数基于理想化的分析

Analysis of Physical Parameters for CMOS Gate Circuits Based on Idealization

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【作者】 吴训威陈豪

【Author】 WU Xun-wei,CHEN Hao (Faculty of Information Science and Technology, Ningbo University, Ningbo 315211, China)

【机构】 宁波大学信息科学与工程学院宁波大学信息科学与工程学院 浙江 宁波 315211浙江 宁波 315211

【摘要】 以CMOS门电路元件产品为例,提出了如何从理想化出发,对元件产品的物理参数进行设定与正确解读,讨论表明该分析方法可以澄清一些以往对参数的误解,并能有助于指导该型元件产品的正确应用。

【Abstract】 Taking CMOS gate circuits as the examples, the principles to set and correctly understand the physical parameters of element products starting from idealized analysis are presented. It is shown that this analysis method can be used to clarify previous misunderstandings for some parameters, and to direct their correct utilization.

【关键词】 CMOS门电路物理参数
【Key words】 CMOSgate circuitphysical parameter
【基金】 国家自然科学基金(69973039)
  • 【文献出处】 宁波大学学报(理工版) ,Journal of Ningbo University(Natural Science & Engineering Edition) , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TN432
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