以低纯度Gd为原料制备Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的磁热效应

【摘要】 研究了以低纯度蒸馏Gd为原料制备的Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的磁性相变性质和磁热效应。蒸馏Gd的杂质含量为O:0.0160％（质量百分数）;C:0.0054％（质量百分数）;N:0.0016％（质量百分数）,低于普通商用Gd,高于高纯Gd。对Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金的X射线衍射和交流磁化率测试表明,Gd₅Si_1.85Ge_2.15合金在253K存在一级磁性相变;从磁性相变附近的磁化曲线结果得到的最大磁熵变化为12.5J/kg·K。更多还原