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热处理单晶硅片中Fe玷污的深能级瞬态谱分析

DLTS Analysis on Iron Contamination of Heat-treated Silicon Wafers

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【作者】 王文卫李新建

【Author】 WANG Wenwei;LI Xinjian Department of Physics and Laboratory of Materials Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, lixj@zzu. edu. cn; MCL Electronics Materials Ltd., Luoyang 471009

【机构】 郑州大学物理系和材料物理重点实验室郑州大学物理系和材料物理重点实验室 郑州 450052 麦斯克电子材料有限公司洛阳 471009郑州 450052

【摘要】 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,对不同热处理条件下的单晶硅腐蚀片及抛光片进行了Fe玷污分析,系统研究了热处理前预清洗工艺和热处理工艺过程对硅片体内Fe玷污的影响。实验表明,热处理和热处理前预清洗是加工过程中对硅片体内Fe玷污有重大影响的工序,进而提出了有效降低硅片内Fe玷污的热处理控制方法。

【Abstract】 Iron contamination of both etched and polished silicon wafers treated with different heat-treating was analyzed byusing DLTS method. The influence of the heat-treating process as well as the pre-cleaning process before it on the iron impurityin silicon wafers was systematically investigated. It is found that the heat-treating process and the pre-cleaning process before itplays high role to the iron contamination in manufacturing crystal silicon wafers, and based on which, a control direction of theheat-treating process for effectively decreasing the iron contamination of silicon wafers is put forward.

【关键词】 热处理Fe玷污DLTS技术
【Key words】 heat-treating proeessiron contaminationDLTS method
【基金】 国家自然科学基金(19904011);河南省杰出青年科学基金(0014)
  • 【文献出处】 科学技术与工程 ,Science Technology and Engineer , 编辑部邮箱 ,2003年03期
  • 【分类号】TN304.12
  • 【被引频次】1
  • 【下载频次】146
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