GaN基MSM结构紫外光探测器

【摘要】 在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器。测量了该紫外光探测器的唁电流和360nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线。该紫外光探测器在5V偏压时暗电流为1.03 nA,在10V偏压时暗电流为15.3nA。在15V偏压下该紫外光探测器在366nm波长处的响应度达到0.166 A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边。从0～15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大。详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系。更多还原