GaN基MSM结构紫外光探测器-中国学术期刊网络出版总库

中国学术期刊网络出版总库

关闭

GaN基MSM结构紫外光探测器

推荐 CAJ下载

PDF下载

【下载频次】	★★★★★
【作者】	王俊; 赵德刚; 刘宗顺; 冯淦; 朱建军; 沈晓民; 张宝顺; 杨辉;
【作者单位】	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室; 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室北京;
【文献出处】	中国科学G辑:物理学、力学、天文学 , Science in China(Series G), 编辑部邮箱 2003年 01期期刊荣誉：中文核心期刊要目总览 ASPT来源刊 CJFD收录刊
【中文关键词】	GaN; MSM结构; 紫外光探测器; 响应度;
【摘要】	在蓝宝石(0001)衬底上采用低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长GaN外延层,以此为材料,制作了暗电流很小的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外光探测器。测量了该紫外光探测器的唁电流和360nm波长光照下的光电流曲线、光响应曲线和响应度随偏压变化的曲线。该紫外光探测器在5V偏压时暗电流为1.03 nA,在10V偏压时暗电流为15.3nA。在15V偏压下该紫外光探测器在366nm波长处的响应度达到0.166 A/W,在365nm波长左右有陡峭的截止边。从0～15V,该紫外光探测器在360nm波长处的响应度随着偏压的增加而增大。详细地分析了该紫外光探测器的暗电流、光电流、响应度随偏压变化的关系。
【基金】	国家“八六三”计划基金
【分类号】	O439
【正文快照】	随着晶体生长技术的发展,GaN材料已经受到世界各国科学家的极大重视.与成熟的半导体材料si相比,由于GaN的宽禁带、低介电常数、耐高温性、耐腐蚀性、抗辐射等特性,非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件;又由于InN,GaN,AIN的禁带宽度分别为1 .9,3.4,6.2e从覆

xxx

【相似文献】

中国期刊全文数据库

中国优秀硕士学位论文全文数据库

中国博士学位论文全文数据库

中国重要会议论文全文数据库

中国重要报纸全文数据库

中国学术期刊网络出版总库

点击下列相关研究机构和相关文献作者，可以直接查到这些机构和作者被《中国知识资源总库》收录的其它文献，使您全面了解该机构和该作者的研究动态和历史。

【文献分类导航】从导航的最底层可以看到与本文研究领域相同的文献，从上层导航可以浏览更多相关领域的文献。

数理科学和化学
　

物理学
　　

光学
　　　

应用光学


	CNKI系列数据库编辑出版及版权所有：中国学术期刊(光盘版)电子杂志社中国知网技术服务及网站系统软件版权所有：清华同方知网(北京)技术有限公司其它数据库版权所有：各数据库编辑出版单位（见各库版权信息）京ICP证040431号互联网出版许可证新出网证（京）字008号

相似文献

文献分类导航