节点文献

标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究

Study of ECR-Plasma Cleaning of Sapphire Substrate Using RHEED

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 郎佳红顾彪徐茵秦福文曲钢

【Author】 LANG Jia-hong 1,2 ,GU Biao 1,2 , XU Yin 1,2 , QIN Fu-wen 1,2 , QU Gang 1,2 (1. State Key Laboratory of Material Modification by Laser, Ion and E lectron Beams, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China; 2. Department of Electrical Engineering and Applied Electronics, Dalian Universi ty of Technology, Dalian 116024, China)

【机构】 大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室 辽宁大连116024大连理工大学电气工程与应用电子技术系辽宁大连116024辽宁大连116024

【摘要】 在经过校温的ECR PEMOCVD装置上 ,通过分析RHEED(反射高能电子衍射 )图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对蓝宝石衬底进行清洗、氮化实验 ,结果表明 :经常规清洗的蓝宝石衬底的表面晶质差异很大 ;按照经验清洗 30min是不能清洗充分的 ,那么根据情况进行多步清洗就显得很重要了 ;结果表明清洗得很充分的衬底经 2 0min的氮化出来 ,而未清洗充分的衬底 2 0min或更长的时间是不能氮化出来的

【Abstract】 The normal cleaning effect and the cleaning and n it ridation effect of hydrogen and nitrogen ECR plasma for sapphire substrates were researched by analyzing RHEED image in ECR-PEMOCVD system whose temperature ha d been calibrated. The results indicated that much difference lies for surface q uality of sapphire substrate by normal cleaning; The 30-minute cleaning for som e substrates is insufficient and the multi-step cleaning is needed; Sufficientl y cleaned sapphire substrates have been nitrided for 20 minutes by ECR hydrogen and nitrogen plasma and smooth and clear nitridation layer can be obtained, whil e insufficiently cleaned ones cannot be nitrided for 20 minutes or longer time.

【关键词】 蓝宝石清洗氮化RHEEDGaN
【Key words】 sapphirecleaningnitridationRHEEDGaN
【基金】 国家自然科学基金资助项目 (No .699760 0 8)
  • 【文献出处】 红外技术 ,Infrared Technology , 编辑部邮箱 ,2003年06期
  • 【分类号】TN304
  • 【被引频次】8
  • 【下载频次】142
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络