节点文献

全碳反应烧结碳化硅的制备

The Manufacture of Pure Carbide Reaction Bond SIC LIU

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具,请取消加速工具后下载。

【作者】 刘小磐赵修建徐学文武七德

【Author】 Xiao-pan,ZHAO Xiu-jian,XU Xue-wen,WU Qi-de (State Key Lab.of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan University of Technology,Wuhan430070,China)

【机构】 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 湖北武汉430070湖北武汉430070湖北武汉430070

【摘要】 研究了用PCRBSC方法制备SiC,观察发现用该方法制备的SiC晶粒中存在层状结构,并且由于没预掺α-SiC,反应烧结速度快于RBSC方法,且生成的SiC均为β相,与RBSC方法相比,生成的SiC晶粒更加细小均匀。

【Abstract】 In this paper,the manufacture of SiC is studied by using the pure carbon reaction bonded method.The result shows that board crystalline is in the matrix body.Moreover,the sinter speed of PCRBSC is more rapid than RBSC because not added α -SiC.In PCRBSC there only exists β-SiC . And compared with RBSC,the SiC crystalline grain is much smaller and uniform.

【关键词】 反应烧结层状结构SiC
【Key words】 reaction bond sinterboard crystallineSiC
【基金】 国家“九五”攻关资助项目(96-A10-07)
  • 【文献出处】 湖北汽车工业学院学报 ,Journal of Hubei Automotive Industries Institute , 编辑部邮箱 ,2003年02期
  • 【分类号】TQ174
  • 【被引频次】2
  • 【下载频次】396
节点文献中: 

本文链接的文献网络图示:

本文的引文网络