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IBED和Sol-gel制备方法对二氧化钒薄膜性能的影响

Effect of BED and Sol-gel Methods on Electrical Properties of VO₂ Thin Films

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【Author】 YUAN Ning-yi, LI Jin-hua, LI Ge(Functional Materials Lab, Jiangsu Polytechnic University, Changzhou 213016, China; Ion Beam Lab., Shanghai Institute of Microsystem and Information Tech., Shanghai 200050, China)

【机构】江苏工业学院功能材料实验室；江苏工业学院功能材料实验室江苏常州 213016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所；上海 200050；江苏常州 213016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所；江苏常州 213016；

【摘要】采用离子束增强沉积(IBED)法和溶胶-凝胶法(Sol-gel)在siO2/Si衬底上制备了具有半导体相-金属相转换特性的二氧化钒薄膜.对两种方法制备薄膜的性能测试结果表明,其转换温度、相变滞豫、热电阻温度系数等都有较大差别.更多还原

【Abstract】 VO2 thin films with semiconductor-to-metal phase transition property were prepared by IBED and Sol-gel methods on SiO2/Si substrate. The test results indicate that there is significant difference between transition temperature, hysteresis width and temperature coefficient of resistance of the films prepared by the two methods.更多还原