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离子束增强沉积氧化钒薄膜的温度系数

Thermal Coefficient of Resistance of Vanadium Oxide Film Formed by Ion- Beam- Enhanced Deposition

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【作者】 李金华； 袁宁一； 陈汉松；

【Author】 LI Jin-hua, YUAN Ning-yi, CHEN Han-song(Dept. of Information Science, Functional Materials Lab., Jiangsu Polytechnic University, Changzhou 213016, China; Ion Beam Lab, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Shanghai 200050, China)

【机构】 江苏工业学院信息科学系功能材料实验室； 江苏工业学院信息科学系功能材料实验室 江苏 常州 213016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 离子束开放实验室； 上海 200050； 江苏 常州 213016 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 离子束开放实验室； 江苏 常州 213016；

【摘要】 用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07％.高剂量的氢、氩混合束的注入使薄膜中的氧缺位较少,并在薄膜中引入了应力,使薄膜的温度-电阻曲线的斜率变大,可能是TCR增大的原因.

【Abstract】 The Vanadium dioxide film was prepared from V2O5 by Ion-Beam-Enhanced Deposition. After annealing at 750℃ for 3 min in N2, the thermal coefficient of resistance (TCR) of the IBED film reached 4.07%. The reasons of TCR increasing should be root in the decreasing of oxygen vacancies and stress increasing in the film after high dose H+ and Ar+ mixing beam implantation.

【关键词】 氧化钒薄膜； 离子束增强沉积； 热电阻温度系数；
【Key words】 Vanadium oxide film； ion-beam-enhanced deposition； thermal coefficient of resistance；
【基金】 国家自然科学基金资助(10175027)
  • 【文献出处】 哈尔滨理工大学学报 ,Journal of Harbin University of Science and Technology , 编辑部邮箱 ,2003年05期
  • 【分类号】O484
  • 【被引频次】4
  • 【下载频次】85
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